EPC宣布推出EPC，这是一款使用EPCeGaNFET的三相BLDC电机驱动逆变器参考设计板。EPC在14V和60V（标称48V）之间的输入电源电压下工作，并具有两种配置-标准单元和大电流版本：

有两个版本。EPC标准参考设计板是一款三相BLDC电机驱动逆变器板，采用EPCeGaNFET，额定最大RDS(on)为3.6mΩ，最大器件电压为80V。此标准配置为每个开关位置使用单个FET，可提供高达20ARMS的最大输出电流。

还有一种高电流配置，即EPCHC，它在每个开关位置使用两个并联FET，能够提供高达42Apk(30ARMS)的最大输出电流。

EPC的两个版本都包含所有必要的关键功能电路，以支持完整的电机驱动逆变器，包括栅极驱动器、用于管理电源的稳压辅助电源轨、电压和温度检测、精确电流检测和保护功能。该板还采用STMicroelectronicsSTDRIVEG智能电机驱动GaN半桥驱动器。

EPC板的尺寸仅为mmxmm（包括连接器）。该板还可配置用于多相DC-DC转换，并支持相位和支路分流电流检测。

这些参考设计板展示了基于GaN的电机驱动器的主要优势，包括较低的失真以降低噪声、较低的电流纹波以减少磁损耗、较低的转矩纹波以提高精度，以及较低的滤波以降低成本。EPC板的重量和尺寸更轻，可以将驱动器集成到电机外壳中，并支持低电感、更高功率密度的电机。

EPC提供完整的演示套件，其中包括将逆变器板连接到控制器板开发工具的接口板，用于快速原型设计，从而缩短设计周期。

基于GaN的电机驱动套件的默认设置为kHz开关频率和14ns死区时间。虽然该套件设计为针对不同的频率和死区时间进行编程，但在kHz左右的高频下运行可以消除电解电容器并使用较低的电容，并减少电机损耗。以大约14ns的极小低死区时间操作电路板可实现更高的每安培扭矩。与通常在20kHz和ns死区时间下工作的硅MOSFET解决方案相比，联合效果是将逆变器和电机系统效率提高7%以上。

“基于GaN的逆变器提高了电机效率，同时降低了成本，并提供与使用基于硅MOSFET的逆变器的昂贵电机相同的性能”，EPC首席执行官AlexLidow说。“这使得电机系统更小、更轻、噪音更小、扭矩更大、范围更广、精度更高。”

創建宜普電源轉換公司

宜普電源轉換公司於年11月由三位資深工程師共同創建，他們合共擁有六十年與先進功率管理技術相關的經驗。宜普電源轉換公司的首席執行官AlexLidow是年代矽功率MOSFET的共同發明者。他在國際整流器公司曾擔任管理研發及製造職位外，期間更有長達十二年擔任該公司的首席執行長。其後半導體技術的發展進程讓宜普公司的所有創辦人清楚知道矽技術已經達到它的性能極限及其發展步伐已經不可以像從前那樣為業界推動創新、再創高峰。

創建宜普電源轉換公司是基於對氮化鎵技術可以在電源轉換領域替代矽技術的信念，這是由於氮化鎵技術具備無敵的速度、效率及低成本的優勢。其實氮化鎵技術是一種具備優越的晶體特性的使能技術，它可以實現的性能與矽技術相比較是0：1的比值。