中国IC风云榜全新升级，在去年7大奖项的基础上扩展赛道，最终形成15大奖项。10月25日奖项申报已启动，目前征集与候选企业报道正如火如荼进行中。本次评选将由中国半导体投资联盟家会员单位及多位半导体行业CEO共同担任评选评委，奖项名单将于第三届中国半导体投资联盟年会暨中国IC风云榜颁奖典礼上揭晓。

本期候选企业：纳微半导体

中国IC风云榜年度技术突破奖

纳微GaNFast氮化镓功率芯片

近年来，随着功率半导体器件、工业半导体、汽车电力电子等领域的空前发展，第三代半导体材料越发凸显其重要性与优越性。

第三代半导体材料以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌(ZnO)、金刚石等为代表，具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高及抗辐射能力强等优点，是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”，在半导体照明、新一代移动通信、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域具有应用前景。

这其中，氮化镓材料耐热性好，因具有高电子迁移率而成为高频的“赢家”，其电子迁移率高于碳化硅，可提高晶体管的开关转换速度，适用于高频率、大功率电路中。数据显示，氮化镓器件的开关速度比传统的硅器件快20倍，在尺寸和重量减半的情况下，可实现高达3倍的功率和3倍的充电速度。

发展迅猛

纳微半导体成立于年，是氮化镓功率芯片的行业领导者。年10月20日，纳微半导体敲响了纳斯达克的开市钟，并开始在纳斯达克交易，当日企业价值超过10亿美元，总融资额超过3.2亿美元。

纳微半导体的GaNFast功率芯片被应用在多种型号的移动充电器中。截至年10月，纳微半导体已交付万多颗GaNFast功率芯片。在65W功率段，GaNFast功率芯片频频进入OPPO、小米、努比亚、联想、坚果、贝尔金等品牌厂商供应链。

值得一提的是，纳微半导体拥有多项专利已经颁发或正在申请中。截止今年11月份，已经有超过万颗纳微GaNFast氮化镓功率芯片出货，在现场测试实现了超过亿个设备小时，并且没有任何关于GaN现场故障的报告。与传统的硅功率芯片相比，每颗出货的GaNFast氮化镓功率芯片可以减少碳足迹4-10倍，相比硅芯片可节省4千克的二氧化碳排放。

突破创新

年11月，纳微半导体宣布推出新一代采用GaNSense技术的智能GaNFast氮化镓功率芯片。GaNSense技术集成了关键、实时、智能的传感和保护电路，进一步提高了纳微半导体在功率半导体行业领先的可靠性和稳健性，同时增加了纳微氮化镓功率芯片技术的节能和快充优势。

据了解，这项技术实现了正在申请专利的无损耗电流感应能力。与前几代产品相比，GaNSense技术可额外提高10%的节能效果，并能够进一步减少外部元件数量，缩小系统的尺寸。此外，如果氮化镓功率芯片识别到有潜在的系统危险，该芯片将迅速过渡到逐个周期的关断状态，以保护器件和周围系统。GaNSense技术还集成了智能待机降低功耗功能，在氮化镓功率芯片处于空闲模式时，自动降低待机功耗，有助于进一步降低功耗。这对越来越多积极追求环保的客户来说尤为重要。

凭借业界最严格的电流测量精度和GaNFast响应时间，GaNSense技术缩短50%的危险时间，危险的过电流峰值降低50%。GaNFast氮化镓功率芯片单片集成提供了可靠的、无故障的操作，没有"振铃"，从而提高了系统可靠性。

值得一提的是，采用GaNSense技术的新一代纳微GaNFast氮化镓功率芯片有十个型号，他们都集成了氮化镓功率器件、氮化镓驱动、控制和保护的核心技术，所有产品的额定电压为V/V，具有2kVESD保护。新的GaNFast功率芯片的RDS(ON)范围为至毫欧，采用5x6mm或6x8mmPQFN封装，具有GaNSense保护电路和无损电流感应。作为纳微第三代氮化镓功率芯片，针对现代电源转换拓扑结构进行了优化，包括高频准谐振反激式（HFQR）、有源钳位反激式（ACF）和PFC升压，这些都是移动和消费市场内流行的提供最快、最高效和最小的充电器和适配器的技术方法。

除了快充领域，纳微半导体认为，氮化镓技术还能应用在数据中心、太阳能发电和车载充电机中，提高转换效率并减小电源部分的体积，提供更有竞争力的选择。应用纳微氮化镓技术到电源中，能够有效减少电源方案的器件数量，并减小PCB板的面积，从生产环节减少碳的排放量。

面对中国市场，纳微半导体表示，中国市场变得越来越重要，纳微的营收超过70%来自中国。据了解，纳微半导体已在上海建立纳微中国芯片设计中心，设立深圳、杭州分公司。

奖项旨在表彰技术不断创新迭代，攻克难关，实现产业技术创新突破，推动全球科技潮流向前迈进的企业。

1、深耕半导体某一细分领域，年发布的新技术产品有重大技术突破，代表国际/国内先进水平；

2、产品应用范围广，市场反馈及前景良好，对全球/国内半导体产业的发展起到重要作用。

1、技术产品主要性能和指标（30%）2、技术突破创新性（50%）3、市场应用（20%）